Salutan Tantalum Carbide (TaC) CVD

Salutan TaC biasanya dipertimbangkan apabila SiC mula mencapai hadnya. Ini lebih kerap berlaku dalam epitaksi SiC atau pertumbuhan kristal, di mana kedua-dua suhu dan atmosfera proses lebih mencabar.

Dengan takat lebur yang jauh lebih tinggi, TaC mengendalikan pendedahan suhu tinggi yang lebih lama dengan lebih baik, terutamanya dalam persekitaran dengan hidrogen atau HCl. Dalam praktiknya, ini memberi perbezaan dalam proses seperti pertumbuhan PVT, di mana kestabilan terma secara langsung mempengaruhi kualiti kristal.

Aplikasi tipikal termasuk cincin panduan aliran, pemegang benih, bahagian berkaitan mangkuk pijar dan struktur lain di dalam medan terma. Komponen ini terdedah kepada keadaan yang keras untuk jangka masa yang lama, jadi mengurangkan degradasi menjadi penting. Dalam sesetengah persediaan, TaC secara beransur-ansur menggantikan bahan lama seperti pBN dan juga beberapa bahagian bersalut SiC, walaupun ini masih bergantung pada kos dan reka bentuk proses.